无锡斯博睿(多图),黑龙江635nm20mw激光二极管品牌

· 635nm20mw激光二极管品牌
无锡斯博睿(多图),黑龙江635nm20mw激光二极管品牌

激光二极管激光二极管具:有体积小、重量轻、耗电低、驱动电路简单、调制方便、耐机械冲击以及抗震动等优点,但它对过电流、过电压以及静电干lao极为敏感,因此,在使用时,要特别注意不要使其工作参数超过其最da允许值,可采用的方法如下:(1)...


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激光二极管

激光二极管具:有体积小、重量轻、耗电低、驱动电路简单、调制方便、耐机械冲击以及抗震动等优点,但它对过电流、过电压以及静电干lao极为敏感,因此,在使用时,要特别注意不要使其工作参数超过其最da允许值,可采用的方法如下:

(1)用直流恒流源驱动激光二极管

(2)在激光_极管电路上串联限流电阻器,并联旁路电容器

(3)由于激光二极管温度升高将增大流过它的电流值,因此,必须采用必要的散热措施,以保证器件工作在一定的温度范围之内。

(4)为了避免激光二极管因承受过大的反向电压而造成击穿损坏,可在其两端反并联上快速硅二极管


激光二极管

基本介绍

半导体激光二极管的基本结构:垂直于PN结面的一对平行平面构成法布里——珀罗谐振腔,它们可以是半导体晶体的解理面,也可以是经过抛光的平面。其余两侧面则相对粗糙,用以消除主方向外其它方向的激光作用。

半导体中的光发射通常起因于载流子的复合。当半导体的PN结加有正向电压时,会削弱PN结势垒,迫使电子从N区经PN结注入P区,空穴从P区经过PN结注入N区,这些注入PN结附近的非平衡电子和空穴将会发生复合,从而发射出波长为λ的光子,其公式如下:[1]

λ = hc/Eg ⑴

式中:h—普朗克常数; c—光速; Eg—半导体的禁带宽度。

上述由于电子与空穴的自发复合而发光的现象称为自发辐射。当自发辐射所产生的光子通过半导体时,一旦经过已发射的电子—空穴对附近,就能激励二者复合,产生新光子,这种光子诱使已激发的载流子复合而发出新光子现象称为受激辐射。如果注入电流足够大,则会形成和热平衡状态相反的载流子分布,即粒子数反转。当有源层内的载流子在大量反转情况下,635nm20mw激光二极管品牌,少量自发辐射产生的光子由于谐振腔两端面往复反射而产生感应辐射,造成选频谐振正反馈,或者说对某一频率具有增益。当增益大于吸收损耗时,就可从PN结发出具有良好谱线的相干光——激光,这就是激光二极管的简单原理。


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