DBR-LD
DBR-LD（分布布拉格反射器激光二极管）最ju代表性的是超结构光栅SSG结构。器件中央是有源层，两边是折射光栅形成的SSG区，受周期性间隔调制，其反射光谱变成梳状峰，梳状光谱重合的波长以大的不连续变化，兴化激光二极管，可实现宽范围的波长调谐。采用DBR-LD构成波长转换器，与调制器单片集成，其芯片左侧为双稳态激光器部分，有两个激huo区和一个用作饱和吸收的隔离区；右侧是波长控制区，由移相区和DBR构成。
1550nm多冗余功能可调谐DBR-LD可获得16个频率间隔为100GHz或32频率间隔为50GHz的波长，随着大约以10nm间隔跳模，可获得约100nm的波长调谐。除保留已有的处理和封装工艺外，830nm红外激光二极管，还增加了纳秒级的波长开关，扩大调谐范围。
结构性能
物理结构
是在发光二极管的结间安置一层具有光活性的半导体，其端面经过抛光后具有部分反射功能，因而形成一光谐振腔。在正向偏置的情况下，LED结发射出光来并与光谐振腔相互作用，从而进一步激励从结上发射出单波长的光，这种光的物理性质与材料有关。
在VCD机中，半导体激光二极管是激光头的核心部件之一，它大多是由双异质结构的镓铝砷(AsALGA)三元化合物构成的，是一种近红外半导体器件，波长为780～820 nm，额定功率为3～5 mw。另外，670nm红光激光二极管，还有一种可见光(如红光)半导体激光二极管，也广泛应用于VCD机以及条形码阅读器中。
激光二极管的外形及尺寸如图1所示。其内部结构类型有三种，如图2所示。
由图2可见，激光二极管内包括两个部分：第yi部分是激光发射部分(可用LD表示)，它的作用是发射激光，如图中电极(2);第二部分是激光接受部分(可用PD表示)，635nm红光激光二极管，它的作用是接受、监测『JD发出的激光(当然，若不需监测LD的输出，PD部分则可不用)，如图中电极(3);这两个部分共用公共电极(1)，因此，激光二极管有三个电极。
发展上世纪60年代发明的一种光源，命名为激光，LASER是英文的“受激放射光放大”的首字母缩写。
1962年秋首ci研制出 77K下脉冲受激发射的同质结GaAs 激光二极管。
1964 年将其工作温度提高到室温。
1969年制造出室温下脉冲工作的单异质结激光二极管，
1970年制成室温下连续工作的 Ga1-xAlxAs/GaAs双异质结(DH)激光二极管。此后，激光二极管迅速发展。1975年 Ga1-xAlxAs/GaAsDH 激光二极管的寿命提高到105小时以上。In1-xGaxAs1-yPy/InP 长波长DH激光二极管也取得重大进展，因而推动了光纤通信和其他应用的发展。此外还出现了由Pb1-xSnxTe等 Ⅳ-Ⅵ族材料制成的远红外波长激光二极管。
