平面型二极管
在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此，不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整，故而得名。并且，520nm激光二极管，PN结合的表面，红光激光二极管，因被氧化膜覆盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。最初，对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的，故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言，似乎使用于大电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多。
二极管的相关参数
加在二极管两端的反向电压高到一定值时，绿光激光二极管，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了zui高反向工作电压值。例如，IN4001二极管反向耐压为50V，辽宁激光二极管，IN4007反向耐压为1000V。是指二极管长期连续工作时允许通过的zui大正向电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为141左右，锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下，二极管使用中不要超过二极管zui大整流电流值。例如，常用的IN4001－4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。
