二极管的相关参数
反向电流是指二极管在规定的温度和zui高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25℃时反向电流若为250uA，温度升高到35℃，反向电流将上升到500uA，依此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25℃时反向电流仅为5uA，温度升高到75℃时，反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。
面接触型或称面结型二极管的PN结是用合金法或扩散法做成的。由于这种二极管的PN结面积大，可承受较大的电流，520nm激光二极管，但极间电容也大。这类器件适用于整流，而不宜用于高频电路中。如2CPl为面接触型硅二极管，zui大整流电流为40OmA，zui高工作频率只有3kHz。对应于第①段的正向特性，此时加于二极管的正向电压只有零点几伏，红光激光二极管，但相对来说流过管子的电流却很大，因此管子呈现的正向电阻很小。但是，在正向特性的起始部分，650nm激光二极管，由于正向电压较小，外电场还不足以克服PN结的内电场，因而这时的正向电流几乎为零，二极管呈现出一个大电阻，好像有一个门坎。 硅管的门坎电压Vth(又称死区电压)约为0·5V，锗管的Vth约为0·lV，贵州激光二极管，当正向电压大于Vth时，内电场大为削弱，电流因而迅速增长。
