发展上世纪60年代发明的一种光源，命名为激光，LASER是英文的“受激放射光放大”的首字母缩写。
1962年秋首ci研制出 77K下脉冲受激发射的同质结GaAs 激光二极管。
1964 年将其工作温度提高到室温。
1969年制造出室温下脉冲工作的单异质结激光二极管，
1970年制成室温下连续工作的 Ga1-xAlxAs/GaAs双异质结(DH)激光二极管。此后，激光二极管迅速发展。1975年 Ga1-xAlxAs/GaAsDH 激光二极管的寿命提高到105小时以上。In1-xGaxAs1-yPy/InP 长波长DH激光二极管也取得重大进展，因而推动了光纤通信和其他应用的发展。此外还出现了由Pb1-xSnxTe等 Ⅳ-Ⅵ族材料制成的远红外波长激光二极管。
激光二极管具：有体积小、重量轻、耗电低、驱动电路简单、调制方便、耐机械冲击以及抗震动等优点，但它对过电流、过电压以及静电干lao极为敏感，因此，在使用时，要特别注意不要使其工作参数超过其最da允许值，可采用的方法如下：
(1)用直流恒流源驱动激光二极管。
(3)由于激光二极管温度升高将增大流过它的电流值，635nm40mw激光二极管，因此，必须采用必要的散热措施，以保证器件工作在一定的温度范围之内。
(4)为了避免激光二极管因承受过大的反向电压而造成击穿损坏，可在其两端反并联上快速硅二极管。
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